Produk Serial Interface NAND Generasi Kedua dengan peningkatan kinerja dan kapasitas ditambahkan ke dalamnya
TOKYO - (Antara/BUSINESS WIRE) - Toshiba Memory Corporation, pemimpin dunia dalam solusi memori, hari ini mengumumkan bahwa mereka telah meluncurkan jajaran produk memori flash NAND generasi kedua untuk aplikasi yang telah tertanam di dalamnya dengan peningkatan kinerja dan kapasitas [1] untuk mendukung transfer data berkecepatan tinggi. Produk Serial Interface NAND yang baru kompatibel dengan Serial Peripheral Interface (SPI) yang telah banyak digunakan dan cocok untuk berbagai aplikasi konsumen, industri dan komunikasi. Pengiriman sampel dimulai hari ini dengan produksi massal dijadwalkan mulai dari Oktober dan seterusnya.
Dengan perangkat yang semakin kecil dalam aplikasi IoT dan komunikasi, permintaan untuk memori flash berkapasitas besar dalam paket kecil yang dapat menangani transfer data berkecepatan tinggi dengan jumlah pin rendah semakin meningkat. Karena kompatibilitasnya dengan SPI yang banyak digunakan, produk Serial Interface NAND dapat digunakan sebagai produk memori flash SLC NAND dengan jumlah pin rendah, paket kecil, dan kapasitas besar.
Untuk mendukung transfer data berkecepatan tinggi, produk Serial Interface NAND generasi kedua yang baru menawarkan kinerja yang lebih baik dibandingkan dengan produk generasi pertama yang ada [1], termasuk frekuensi operasi 133 megahertz (MHz) dan mode program x4. Selain itu, perangkat 8 gigabit (1 gigabyte) [2] telah ditambahkan ke jajaran untuk menanggapi permintaan kapasitas memori yang lebih besar.
Garis Besar Produk Baru
Nomor Part Kapasitas I/O Voltase Paket Produksi Masal
TC58CVG0S3HRAIJ 1Gb
x1, x2, x4
3,3V 8pin
WSON[3]
(6mm x 8mm) Okt. 2019
TC58CYG0S3HRAIJ 1,8V Okt. 2019
TC58CVG1S3HRAIJ 2Gb
3,3V Okt. 2019
TC58CYG1S3HRAIJ 1,8V Okt. 2019
TC58CVG2S0HRAIJ 4Gb
3,3V Okt. 2019
TC58CYG2S0HRAIJ 1,8V Okt. 2019
TH58CVG3S0HRAIJ 8Gb 3,3V Des. 2019
TH58CYG3S0HRAIJ 1,8V Des. 2019
Fitur Utama
Kapasitas 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb
Ukuran halaman 2KByte (1Gb, 2Gb), 4KByte (4Gb, 8Gb)
Interface Serial Peripheral Interface Mode 0, Mode 3
Tegangan Catu Daya 2,7 3,6V, 1,7 1,95V
Kisaran Suhu Operasi -40 oC hingga 85 oC
Fitur Frekuensi operasi 133MHz
Mode Program / Read x4
Fungsi Baca Berurutan Kecepatan Tinggi/High-Speed Sequential Read Function
Fungsi ECC (ON/OFF, bit flip count report)
Fungsi Perlindungan Data (mampu melindungi blok tertentu)
Fungsi Parameter Page (mampu menampilkan informasi detail pada perangkat)
Catatan
[1] Dibandingkan dengan produk Serial Interface NAND generasi pertama dari Toshiba Memory Corporation. Survei Memori Toshiba.
[2] Kapasitas produk diidentifikasi berdasarkan kapasitas chip memori dalam produk, bukan jumlah kapasitas memori yang tersedia untuk penyimpanan data oleh pengguna. Kapasitas yang dapat digunakan konsumen akan lebih sedikit karena area data overhead, pemformatan, blok yang buruk, dan kendala lainnya, dan mungkin juga bervariasi berdasarkan perangkat host dan aplikasinya. Untuk detail, silakan merujuk ke spesifikasi produk yang berlaku.
[3] WSON: Paket No Lead Outline yang Sangat Sangat Kecil
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan yang disebutkan di sini mungkin merupakan merek dagang dari masing-masing perusahaan.
Customer Inquiries:
Toshiba Memory Corporation
Memory Sales & Marketing Division
Tel: +81-3-6478-2412
https://business.toshiba-memory.com/en-jp/contact.html
Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah benar pada tanggal/saat diumumkan tetapi dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Kontak
Media Inquiries:
Toshiba Memory Corporation
Sales Strategic Planning Division
Koji Takahata
Tel: +81-3-6478-2404
Sumber: Toshiba Memory Corporation
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Toshiba Memory Corporation luncurkan produk memori flash NAND baru untuk aplikasi tertanam yang dukung transfer data berkecepatan tinggi